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Technologie BICMOS, transistor

La majorité des composants électroniques utilisés par les ordinateurs utilisent la technologie CMOS pour la fabrication des transistors intégrés (complementary metal-oxyde-semiconducteur). Son avantage par rapport au bi-polaire est lié à une plus faible consommation (donc moins d'échauffement) mais pour des vitesses de commutation moindres. En gros, le bipolaire est utilisé pour les applications de puissances et la haute fréquence, le MOS est utilisé par tous les composants électroniques digitaux.

La technologie BiCMOS (bipolar complementary metal-oxyde-semiconducteur) utilise un mélange des deux technologies, ce qui permet une vitesse élevée pour une consommation moindre. Malheureusement, le taux d'intégration (nombre de transistors implanté dans le même chipset) est faible, ce qui la rend difficillement utilisable dans les ordinateurs. Elle est notament implantée en informatique dans les composants sans fils Wifi (utilisant la gamme des 2,45 Ghz - ISM). Le schéma ci-dessous représente l'implantation des technologies bic-mos (à gauche) et MOS standards (à droite) dans les format NPN et PNP.

Dans un fonctionnement standard, en alimentant le transistor par une tension positive la zone P via la gachette (cas n-MOS), on permet le passage de courant entre les deux zônes N. Dans la technologie BICMOS, ce transfert de charge électrique se fait en deux étapes, via une zône N+ sur la Gachette permettant une vitesse de commutation plus élevée.

Cette technologie n'est pas implantée dans les ordinateurs actuels.

Dernière mise à jour, le 03/11/2009
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